3、3DS封装技术，让“肚”量更大

    3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。

    3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，如手机芯片中的ARM处理器就是采用堆叠封装来以减少体积。在3DS技术中，内存模块使用特殊设计的主从DRAM die，其中只有主DRAM die才与外界内存控制器发生联系，从die只是个跟班的小弟，主从DRAM die之间通过金属线进行连接。那么DDR4怎么来实现主从DRAM die连接呢？这里面的秘密就是TSV硅穿孔技术。

    所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。根据JEDEC的说明，在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），未来DDR4最大可以达到64GB，甚至128GB。不过3DS工艺对生产工艺要求很高，良品率在短时间内很难得到保证。因此很可能会大幅度提高内存的成本和销售价格，对DDR4的推广来说是非常不利的。

4、DDR4外观大变

　　技术升级并不仅仅体现在内部，同样体现在DDR4的外部。最明显的变化就是DDR4内存的金手指。由于改用点对点总线，DDR4的金手指触点从DDR3的240个增加到284个(笔记本SO-DIMM DDR4的触点为256个)，不过由于每一个触点的间距从1毫米缩减到0.85毫米，因此DDR4内存模块的长度基本不变。

    此外，为了保护内存在高频率工作下的可靠性，DDR4内存的金手指呈弯曲状。我们都知道，外观上，传统内存的金手指都是平直的，这样的设计在生产时更为简便，但这种设计让内存金手指插入内存插槽后因受到的摩擦力较大往往导致内存的易用性或可靠性上存在一定的瑕疵（君不见，用橡皮擦擦内存金手指往往是解决电脑内存故障的妙招。）。为了解决这个问题，DDR4的金手指采用弧面设计不但可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输稳定无虞，又可以让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。唯一的问题在于圆弧形的设计增加了PCB加工的难度，这将影响DDR4产品的价格和产量。

三、DDR4,何时登场？

    从目前的情况来看，DDR4在今年年底将可能开始试产，明年将开始进入市场,而在2016年左右，DDR4将会彻底取代DDR3成为主流产品。现在，你已经可以在镁光、三星等DRAM厂商的页面上查询到有关DDR4产品的相关信息和参数了，镁光甚至已经开始销售DDR4内存颗粒。至于在平台方面，目前英特尔、AMD并没有透露将从何时开始支持DDR4。一些消息表明英特尔明年的顶级平台Haswell-EX将开始初步支持DDR4内存。如果消息属实，那么AMD也应该差不多在同一时间开始支持DDR4，毕竟两个是冤家对头。

    不过，DDR4点对点的访问机制对主板设计提出了更高的要求：DDR4模组仍采用64bit并行总线与内存控制器相连，双通道设计则是128bit，但是由于采用点对点访问机制，那么主板上对应的数据排线也将达到128条，结合DDR4内存高频和高带宽的特点，就要求主板PCB的数据线布置更为准确、可靠。

编辑观点：不惊艳的大升级

　　尽管DDR4所带来的技术改进不能用“惊艳“形容，但在JEDEC标准支持以及各大DRAM厂商、AMD英特尔等平台厂商支持下，DDR4内存在未来必然成为主流是不容置疑。它的到来也将会显而易见带来PC行业的又一波升级热潮,你现在需要做的就是往储钱罐里储钱就可以了……